Name: CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 8GB CD4-US08G26M19-00S PC4-21300, 2666MHz, CL19, Micron SDRAM, single rank
Brand: CBR
SKU: CD4-US08G26M19-00S

Главная

Компьютерное оборудование

Комплектующие для ПК

Оперативная память

Память DDR4 4Gb, 8Gb, 16Gb, 32Gb

CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 8GB CD4-US08G26M19-00S PC4-21300, 2666MHz, CL19, Micron SDRAM, single rank

Артикул:CD4-US08G26M19-00S
Код товара:626400400

Activate to Precharge Delay (tRAS):43

Нормальная операционная температура (Tcase):-

Общий объем памяти (ГБ):8

Количество чипов на модуле:-

Габариты (мм):-

масса(кг):0.017

Расширенная операционная температура (Tcase):-

rusName:[Модуль памяти] CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 8GB CD4-US08G26M19-00S PC4-21300, 2666MHz, CL19, Micron SDRAM, single rank

Потребление энергии:-

Линейка:Нет

Все характеристики

Под заказ (запрашивайте)

2 080 ₽0 ₽

Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!

29bb447458faeb2e0f367a092d68b879

ПамятьCD4-US08G26M19-00S от компании CBR.

Activate to Precharge Delay (tRAS)

Нормальная операционная температура (Tcase)

Общий объем памяти (ГБ)

Количество чипов на модуле

Габариты (мм)

масса(кг)

0.017

Расширенная операционная температура (Tcase)

rusName

[Модуль памяти] CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 8GB CD4-US08G26M19-00S PC4-21300, 2666MHz, CL19, Micron SDRAM, single rank

Потребление энергии

Линейка

Нет

сайт производителя

http://www.cbr-products.com/

Производитель

CBR

Вес (грамм)

Количество модулей в комплекте (шт)

Пропускная способность (МБ/с)

21300

ширина(см)

0.5

Высота (мм)

Поддержка ECC

Нет

гарантия

Пожизненная

CAS Latency (CL)

Тип модуля

DIMM

Поддержка водяного охлаждения

Нет

Низкопрофильная

Нет

Радиатор

Нет

Подсветка

Нет

Производитель

CBR

Количество контактов

288

длина(см)

Дополнительная информация

Одноранговый модуль

описание

ПамятьCD4-US08G26M19-00S от компании CBR.

Row Precharge Delay (tRP)

Объем одного модуля (ГБ)

manufacturerCountry

КИТАЙ

Модель

CD4-US08G26M19-00S

название

CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 8GB CD4-US08G26M19-00S PC4-21300, 2666MHz, CL19, Micron SDRAM, single rank

Напряжение (В)

1.2

RAS to CAS Delay (tRCD)

GTIN

06973720598918

высота(см)

Тайминги

19-19-19-43

Тип оборудования

Оперативная память

gtdNumber

10005030/111122/3305371/4

Чип

Частота (MHz)

DDR4 - 2666

Поддержка Reg

Нет